Questões Concurso CTI

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De acordo com a nomenclatura metrológica moderna, os termos calibração e ajuste substituíram, respectivamente, os termos aferição e calibração (estes últimos com significados diferentes até 1995). Assim, calibração de um equipamento de medição é interpretado atualmente como o processo pelo qual as leituras do equipamento sob análise são comparadas com os valores gerados pela unidade de medição padrão. Por sua vez, ajuste de um equipamento de medição é o processo de manutenção do equipamento que tenha apresentado erro significativo durante a calibração. Com respeito ao processo de calibração de equipamentos eletrônicos de medição, julgue os itens seguintes.

Considere a seguinte situação.

Um instrumento fotônico foi projetado como sensor de

velocidade. Dentro da faixa dinâmica de operação do

instrumento, a tensão de saída (designada por v e dada em

volts) guarda relação linear com a velocidade medida

(designada por c e dada em unidade de metros por

segundo, m/s). Quando uma velocidade c = 100 m/s é

medida pelo instrumento, a tensão de saída correspondente

é v = 25 mV.

Nessa situação, a curva de calibração do instrumento é dada

por c(v) = 4×103 v [( m/s)/V].

Pmax = VOC × ISC é a potência máxima que o dispositivo

fotovoltaico pode suprir a uma carga.

Caso uma carga com resistência R seja conectada ao dispositivo

fotovoltaico, então a potência dissipada pela carga será dada por

  , em que VD é a tensão nos terminais do diodo ideal em

condução.

Para o dispositivo fotovoltaico em questão, caso se deseje obter

um circuito equivalente constituído pela associação em série de

uma fonte de corrente contínua de tensão e uma resistência, então

os valores da fonte de tensão (VS) e da resistência (RS) desse

respectivamente.

Julgue os seguintes itens, relativos a dispositivos elétricos ou eletrônicos.

Em um transistor de efeito de campo nMOS do tipo enriquecimento, como o mostrado na figura abaixo, existirão três regiões de operação: a região de corte, quando VGS < VT ; a região linear, quando VDS < VGS - VT ; a região de saturação, quando VDS > VGS – VT , sendo VT a tensão de limiar do transistor.

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