Listagem de Questões Concurso CTI
Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.
A difração de elétrons rasantes de alta energia é muito usada para a verificação in situ das condições de crescimento epitaxial de um material semicondutor. É uma medida feita em tempo real e fornece informação sobre a desoxidação do substrato, a velocidade de crescimento e o modo de crescimento.
A microscopia de força atômica oferece a possibilidade de observação da superfície do material em escalas nanométricas somente para materiais condutores e semicondutores, enquanto que a microscopia por tunelamento pode examinar as topografias da superfície de materiais condutores e não-condutores.
A operação de quase todos os dispositivos optoeletrônicos baseiase na criação ou aniquilação do par elétron-buraco. A formação desse par resulta da passagem de um elétron da banda de valência para a banda de condução, deixando na banda de valência um estado vazio, chamado de buraco. A partir dessas informações, julgue os itens que se seguem.
O par elétron-buraco pode ser criado, a princípio, por qualquer partícula energética incidente sobre o semicondutor, desde que esta tenha pelo menos energia igual à energia da banda proibida.
O processo pelo qual um par elétron-buraco pode ser criado a partir de incidência de luz sobre um semicondutor é chamado de absorção, pois fótons com energia suficiente são absorvidos pelo mesmo.
A absorção é um fenômeno estimulado, ou seja, a transição do elétron da banda de valência para a banda de condução é um fenômeno estimulado.
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