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O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

A técnica de difusão de impurezas é mais utilizada para a dopagem em semicondutores compostos, tal como o arseneto de gálio, e menos utilizada para dopagem em semicondutores simples, tal como o silício.

Considerando os sistemas operacionais Windows XP e Linux, julgue os itens a seguir.

Por possuir gerenciador de memória, o Linux não possui gerenciador de arquivos.

Considerando os sistemas operacionais Windows XP e Linux, julgue os itens a seguir.

No Windows XP, existe o item Opções de energia, que permite fazer o gerenciamento mínimo de energia.

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

O processo de difusão envolve a substituição de um átomo da rede pelo átomo dopante. Esse processo é geralmente muito rápido e pode ser feito à temperatura ambiente.

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

Um elemento dopante que seja capaz de dopar um mesmo semicondutor composto tanto n quanto p é chamado de anfótero.

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