Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

Listagem de Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

#Questão 113427 - Química, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual a necessidade de estruturas de inspeção em litografia?

A) Para o controle do processo litográfico sem que haja a necessidade de fabricar totalmente o dispositivo.

B) Para testar o sistema ótico da alinhadora.

C) É utilizado como marca d’água pelo fabricante das máscaras.

D) Para o controle do projetista da máscara litográfica.

E) Só é utilizada ao término do dispositivo.

#Questão 113429 - Química, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Onde se aplica o limite de Abbe em fotolitografia?

A) No projeto das máscaras litográficas.

B) No projeto de lentes da alinhadora.

C) No cálculo do limite de resolução do sistema óptico das alinhadoras.

D) No limite do microscópio utilizado para o alinhamento.

E) Na escolha da lâmpada da alinhadora.

#Questão 113430 - Química, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 113432 - Química, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais as principais causas do limite de resolução em fotolitografia?

A) Espessura do fotorresiste, tempo de cura e revelador.

B) Material da máscara litográfica e tipo de alinhadora.

C) Tecnologia do dispositivo e fabricante da máscara.

D) Revelador utilizado, tempo de exposição do fotorresiste e conteúdo sólido do fotorresiste.

E) Comprimento de onda, tipo de fotorresiste, sistema ótico da alinhadora e limite de definição da máscara.

#Questão 113434 - Química, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Como se define a profundidade de foco em fotolitografia?

A) É a maior profundidade em que é projetada a imagem no fotorresiste sem que haja perda de definição das bordas.

B) É a maior área do fotorresiste iluminada durante a exposição litográfica.

C) É a distância em que deve ser colocada a lâmina de silício em relação à máscara litográfica.

D) É a espessura máxima do fotorresiste.

E) É a profundidade das trincheiras obtidas após a revelação do fotorresiste.

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