Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

Listagem de Questões Concurso Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC

#Questão 113411 - Química, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Como pode ser definida a sensibilidade em fotorresistes negativos?

A) É definida como a quantidade de UV necessária a formação de imagem no fotorresiste.

B) É a medição da intensidade de luz UV pelo tempo de exposição.

C) É a medida da energia da fonte de UV.

D) É a energia efetiva da linha g da lâmpada de UV.

E) É a energia total da fonte de luz UV.

#Questão 113413 - Química, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

As coberturas antirrefletoras (ARC) em fotolitografia são utilizadas para

A) reduzir as ondas estacionárias em fotorresistes.

B) reduzir a dose do UV nos fotorresistes.

C) diminuir a espessura dos fotorresistes.

D) reduzir a sensibilidade dos fotorresistes.

E) atuar como filtros de UV em fotorresistes.

#Questão 113414 - Química, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

O que significa CD (Critical Dimension) in microlitografia?

A) A menor linha da máscara litográfica.

B) A menor dimensão para fabricar um transistor MOS.

C) A menor dimensão definida por processo litográfico.

D) A menor espessura do fotorresiste.

E) A maior espessura do fotorresiste.

#Questão 113416 - Química, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Defina o termo stripping para litografia.

A) Revelação do fotorresiste.

B) Estabilização do fotorresiste.

C) Completa remoção do fotorresiste.

D) Etapa posterior à litografia para corrosão do substrato.

E) Limpeza do substrato antes do spinning.

#Questão 113417 - Química, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais as principais causas das ondas estacionárias nos fotorresistes?

A) Pouca mobilidade das cadeias poliméricas no fotorresiste.

B) Pouca difusão do foto-ácido.

C) Espessura do fotorresiste.

D) A difração nos limites das lentes e nas bordas das estruturas nas máscaras.

E) Comprimento de onda utilizado.

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