Questões de Física da FUNRIO

#Questão 485766 - Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Considerando as duas principais aplicações dos silicetos - porta em transistores MOS e como metal de contato sobre as regiões de fonte e dreno desses transistores - a escolha do siliceto para estas utilizações requer a observação do seguinte requisito:

A) máxima penetração na junção.

B) alta resistividade.

C) alta rugosidade.

D) existência de processo de corrosão seletiva do metal evaporado em relação ao siliceto.

E) Reação ao SiO₂ durante as temperaturas de silicetação.

#Questão 485768 - Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Assinale a opção que apresenta a vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.

A) Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato auto-alinhadas.

B) Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato desalinhadas.

C) Esses materiais jamais formam estruturas de contato auto-alinhadas.

D) Não existe vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.

E) Esses silicetos têm baixo ponto de fusão e, por isso, grande condutividade.

#Questão 485770 - Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Processos de Sputtering têm várias aplicações na produção de circuitos integrados. Considere o processo que envolve as etapas abaixo.

I – Emissão de um feixe de íons.

II – Íons se chocam contra o alvo, provocando o arrancamento de átomos do alvo.

III – Os átomos ejetados são termodinamicamente instáveis e depositam-se sobre as paredes da câmara e sobre o substrato.

IV – Os átomos recobrem o substrato com um filme fino.

O processo acima descrito corresponde a

A) Etching.

B) Espectrometria de massa por íons secundários.

C) Deposição química a partir de vapor.

D) Deposição química de vapor melhorada por plasma.

E) Deposição física de vapor por Sputtering.

#Questão 569782 - Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Considere dois feixes incidentes distintos – um de elétrons e o outro de íons. Com relação a esses feixes, pode-se afirmar que

A) tanto os feixes de íons quanto o de elétrons penetram profundamente em amostras com elementos de elevado número atômico.

B) os feixes de íons penetrarão mais profundamente que o de elétrons, independente da amostra, devido a sua maior quantidade de movimento.

C) os feixes de íon atravessam completamente qualquer tipo de amostra.

D) devido as suas maiores dimensões, os íons têm maior probabilidade de interação com átomos da amostra, o que impede que os íons penetrem profundamente a amostra.

E) em consequência de seu tamanho e de sua energia, uma maior quantidade de raios-X é emitida por uma amostra quando bombardeada por um feixe de íons, comparando-se com a mesma amostra bombardeada por um feixe de elétrons.

#Questão 569783 - Física, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quanto aos reatores de deposição química de vapor melhorada por plasma (PECVD), é correto afirmar que

A) as frequências utilizadas estão na faixa dos raios-X e as pressões acima de 0,1 atm.

B) as frequências utilizadas estão na faixa da radiofrequência e das micro-ondas e as pressões são de até 0,01 atm.

C) as frequências utilizadas estão na faixa do ultravioleta e as pressões acima de 0,1 atm.

D) as frequências utilizadas estão na faixa dos raios-X e as pressões são de até 0,01 atm.

E) as frequências estão na faixa da radiofrequência e das micro-ondas e as pressões devem ser maiores que 0,1 atm.

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