Questões de Física do ano 2008

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

Considerando que a mobilidade do elétron em um semicondutor muito puro é de 200.000 cm² /V.s à temperatura de 4,2 K, é correto afirmar que a mobilidade desse mesmo elétron à temperatura ambiente será maior que 200.000 cm² /V.s.

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

Os portadores de carga em uma junção p-n podem formar dois tipos de corrente elétrica, uma devido à deriva dos portadores (causada pelo campo elétrico aplicado), e outra devido ao gradiente de concentração dos portadores, que é chamada de corrente de difusão.

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Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A difração de elétrons rasantes de alta energia é muito usada para a verificação in situ das condições de crescimento epitaxial de um material semicondutor. É uma medida feita em tempo real e fornece informação sobre a desoxidação do substrato, a velocidade de crescimento e o modo de crescimento.

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A microscopia de força atômica oferece a possibilidade de observação da superfície do material em escalas nanométricas somente para materiais condutores e semicondutores, enquanto que a microscopia por tunelamento pode examinar as topografias da superfície de materiais condutores e não-condutores.