Questões de Física do ano 2008

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

A implantação iônica é a técnica de dopagem mais usada na fabricação de dispositivos eletrônicos, tais como o transistor de efeito de campo de junção metal-semicondutor. Tal técnica consiste da projeção de íons de alta energia sobre a superfície do substrato.

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

O substrato que foi dopado por implantação iônica normalmente se torna quase amorfo devido aos danos causados pelos íons de alta energia durante a implantação, e não há nada que possa ser feito para restaurar a sua condição cristalina anterior.

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

A emissão de luz de uma junção p-n polarizada diretamente é conhecida como efeito fotovoltaico.

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

No efeito fotovoltaico, há o aparecimento de uma tensão direta na junção iluminada.

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

O valor da tensão de circuito aberto é limitado pelo potencial de contato da junção p-n.