Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2013

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Listagem de Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2013

#Questão 425131 - Engenharia Eletrônica, Geral, VUNESP, 2013, Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial - DCTA - SP, Tecnologista Júnior

Os símbolos do transistor MOSFET do tipo intensificação(enhancement) canal n e canal p são, respectivamente,

#Questão 425133 - Engenharia Eletrônica, Geral, VUNESP, 2013, Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial - DCTA - SP, Tecnologista Júnior

Em um diodo Zener, um dos mecanismos que ocorrem para que se obtenha a tensão reversa é por meio de colisões de um portador minoritário, gerando energia para quebrar ligações covalentes. Esse mecanismo recebe a denominação de

#Questão 425135 - Engenharia Eletrônica, Geral, VUNESP, 2013, Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial - DCTA - SP, Tecnologista Júnior

#Questão 425137 - Engenharia Eletrônica, Geral, VUNESP, 2013, Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial - DCTA - SP, Tecnologista Júnior

#Questão 425139 - Engenharia Eletrônica, Geral, VUNESP, 2013, Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial - DCTA - SP, Tecnologista Júnior

O valor de RB, em Ù, encontra-se na faixa:

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