Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2012

#Questão 425296 - Engenharia Eletrônica, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Ao realizar uma análise de tipos e efeitos de falhas, um determinado tipo de falha foi classificada como de ocorrência ocasional (nível 5 de um máximo de 10), como de gravidade pequena (nível 4 de um máximo de 10) e como de detecção alta (nível 3 de um máximo de 10). O coeficiente da prioridade do risco para esse tipo de falha é igual a

A) 12.

B) 1200.

C) 60.

D) 160.

E) 12000.

#Questão 425298 - Engenharia Eletrônica, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

O valor mínimo possível para o coeficiente da prioridade do risco para um determinado tipo de falha, considerando que as classificações de gravidade, ocorrência e detecção podem ser graduadas de 1 a 10, é igual a

A) 1.

B) 2.

C) 3.

D) 5.

E) 10.

#Questão 425300 - Engenharia Eletrônica, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 425302 - Engenharia Eletrônica, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Considerando uma amostra de tamanho 100 em que dados históricos revelaram uma proporção média de defeitos igual a 10%, pode-se afirmar que o desvio-padrão da distribuição da proporção de peças defeituosas é igual a

A) 0,0009.

B) 0,03.

C) 0,003.

D) 0,009.

E) 0,3.

#Questão 425304 - Engenharia Eletrônica, Geral, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

As afirmativas abaixo se referem a técnicas usadas no processo de fabricação de circuitos integrados.

I – Técnica usada na fabricação de circuitos integrados para transferir um padrão desejado para a superfície do wafer, sendo considerada a etapa fundamental de todo o processo.

II – Remoção seletiva de material das áreas do wafer desprotegidas.

III – Na deposição de uma camada de monocristal sobre o substrato, a camada depositada assume exatamente a orientação cristalina do substrato.

Assinale a alternativa que relaciona corretamente a afirmativa com a técnica a que se refere.

A) I – Fotolitografia; II – Etching; III – Crescimento epitaxial.

B) I – Crescimento epitaxial; II – Etching ; III – Fotolitografia.

C) I – Etching; II - Crescimento epitaxial; III – Fotolitografia.

D) I – Crescimento epitaxial; II – Fotolitografia; III – Etching.

E) I – Fotolitografia; II – Crescimento epitaxial; III – Etching.

Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2012

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