Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO

#Questão 413579 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Por que se utiliza a lâmina de Si com orientação cristalina (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS?

A) Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a maior densidade de defeitos na interface entre SiO₂/Si.

B) Não se utiliza a orientação (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS e sim a orientação (110).

C) Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a menor densidade de defeitos na interface entre SiO₂/Si.

D) Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a menor densidade de defeitos na interface entre Si₃N₄/Si.

E) Não se utiliza a orientação (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS e sim a orientação (111).

#Questão 413581 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais das alternativas a seguir apresenta as etapas sequenciais do método padrão RCA para limpeza de lâminas de Si?

A) 1ª etapa com solução:NH₄OH:H₂O, enxague em H2O; 2ª etapa com solução: HCl:H₂O, enxague em H₂O.

B) 1ª etapa com solução: HCl:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: NH₄OH:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O.

C) 1ª etapa com solução:NH₄OH:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: HCl:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O.

D) 1ª etapa com solução: HCl:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: NH₄OH:H₂O, enxague em H₂O.

E) 1ª etapa com solução:NH₄OH:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O.

#Questão 413582 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Assinale a alternativa que contém somente processos que retirem o fotorresiste.

A) Limpeza piranha (solução H₂SO₄/H₂O₂) e processo com plasma de oxigênio.

B) Limpeza RCA e corrosão com HCl.

C) Limpeza piranha (solução H₂SO₄/H₂O₂) e limpeza RCA.

D) Processo com plasma de oxigênio e limpeza RCA.

E) Limpeza piranha (solução H₂SO₄/H₂O₂) e corrosão com solução de HCl.

#Questão 413584 - Engenharia Elétrica, Conceitos Básicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

O processamento térmico rápido (RTP) é usado para:

A) A obtenção de junções rasas.

B) A ativação de dopantes em porta de Si –policristalino.

C) A silicetação.

D) A obtenção de óxido de porta ultra-fino.

E) Todos os processos citados nas alternativas acima podem ser executados com o processamento térmico rápido.

#Questão 413589 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica?

A) Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

B) Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato.

C) Somente mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si.

D) Somente mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

E) Mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

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