Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO

#Questão 413571 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Assinale a alternativa que apresenta somente técnicas de isolação entre dispositivos na tecnologia CMOS.

A) Ajuste de tensão de limiar por implantação de íons e LOCOS.

B) Corrosão úmida e STI.

C) LOCOS e STI.

D) Corrosão seca e corrosão úmida.

E) Ajuste de tensão de limiar por implantação de íons e STI.

#Questão 413573 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

São características extraídas dos transistores MOS:

A) Curva de corrente versus tensão e curva de capacitância versus tensão entre catodo e anodo.

B) Curva de corrente de coletor versus tensão entre coletor e emissor e curva de corrente de base versus tensão entre base e emissor.

C) Curva de corrente de coletor versus tensão entre coletor e emissor e curva de corrente de dreno versus tensão entre dreno e fonte.

D) Curva de corrente de dreno versus tensão entre porta e fonte e curva de corrente de base versus tensão entre base e emissor.

E) Curva de corrente de dreno versus tensão entre porta e fonte e curva de corrente de dreno versus tensão entre dreno e fonte.

#Questão 413574 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

No escalamento da tecnologia CMOS, que dimensões dos transistores MOS seguem a tendência de redução?

A) A largura da base, a profundida do emissor e a área do coletor.

B) A espessura do óxido de porta, o comprimento e a largura da porta e a profundidade das junções de dreno e de fonte.

C) A espessura do óxido de porta, o comprimento e a largura da base e a área do coletor.

D) A largura da base, a profundida do emissor e a espessura do óxido de porta.

E) A área do coletor, o comprimento e a largura da porta e a profundidade das junções de dreno e de fonte.

#Questão 413576 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Para simular o valor de transcondutância de um determinado transistor nMOS, polarizado na região tríodo para tensão entre fonte e dreno de 100 mV, que parâmetros são necessários?

A) Mobilidade de portadores no canal, espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta.

B) Somente a Mobilidade de portadores no canal.

C) Somente a espessura do óxido de porta.

D) Espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta.

E) Mobilidade de portadores no canal, largura e comprimento da porta.

#Questão 413578 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A simulação de um processo de oxidação térmica sobre uma lâmina de Si apresentou uma espessura total de 1000 nm do óxido de Si obtido. Qual a espessura da camada superficial de Si que foi consumida durante o processo de oxidação?

A) Cerca de 660 nm

B) Cerca de 330 nm

C) Cerca de 550 nm

D) Cerca de 440 nm

E) Cerca de 220 nm

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