Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO

#Questão 413563 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 413565 - Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual o principal motivo da substituição de corrosão úmida pela corrosão seca que aconteceu na microeletrônica nos anos 80- 90?

A) Necessidade de aumentar a taxa de corrosão.

B) Necessidade de aumentar a anisotropia de corrosão.

C) Menores danos ambientais.

D) Maior uniformidade do processo.

E) Menor custo do processo.

#Questão 413566 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual a definição da energia de band gap de materiais semicondutores ou isolantes?

A) É a variação de energia entre o limite máximo da banda de condução e o limite máximo da banda de valência.

B) É a energia da banda de condução.

C) É a variação de energia entre o limite mínimo da banda de condução e o limite mínimo da banda de valência.

D) É a variação de energia entre o limite mínimo da banda de condução e o limite máximo da banda de valência.

E) É a variação de energia entre o limite máximo da banda de condução e o limite mínimo da banda de valência.

#Questão 413569 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais são as principais vantagens da tecnologia CMOS?

A) Baixo consumo de energia, mas não permite alta densidade de integração dos dispositivos.

B) Alto consumo de energia e permite alta densidade de integração dos dispositivos.

C) Baixo consumo de energia e a densidade de integração dos dispositivos é muito baixa.

D) Não apresenta vantagens quando comparada com a tecnologia TTL.

E) Baixo consumo de energia e permite alta densidade de integração dos dispositivos.

#Questão 413568 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Os valores das energias de band gap de materiais semicondutores estão entre 0,1 eV e 3,0 eV, enquanto para materiais isolantes, os valores são maiores que 3,0 eV. Assim, quais os valores das energias de band gap dos materiais Si e SiO2, em temperatura ambiente, respectivamente, que são usados na tecnologia MOS?

A) São 1,1 eV e 9,0 eV.

B) São 1,1 eV e 2,0 eV.

C) São 6,0 eV e 9,0 eV.

D) São 9,0 eV e 1,1 eV.

E) São 9,0 eV e 2,0 eV.

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