Questões sobre Princípios de Ciências dos Materiais

#Questão 413878 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm) em Si do tipo n+?

A) Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.

B) Implantação de íons de ³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.

C) Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 600ºC.

D) Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 600ºC.

E) Implantação de íons de ³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 1000ºC.

#Questão 413879 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Executando-se a medida de quatro pontas sobre uma camada implantada e recozida, consegue-se obter

A) a destruição da camada implantada.

B) a reconstrução da camada implantada.

C) a resistividade da camada implantada.

D) a rugosidade da camada implantada.

E) a reflexão da camada implantada.

#Questão 413881 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Executando-se a espectroscopia de massa do íon secundário (SIMS) de uma estrutura implantada, consegue-se obter

A) o perfil de implantação na lâmina.

B) a oxidação da lâmina.

C) a deposição de um filme fino sobre a lâmina.

D) a limpeza da lâmina.

E) os defeitos na lâmina.

#Questão 413883 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Para que servem as lentes eletrostáticas no sistema de implantações de íons?

A) Servem para varrer o feixe de íons sobre a lâmina e manter a uniformidade do processo.

B) Servem para varrer o feixe de íons sobre a lâmina e manter a desuniformidade do processo.

C) Servem para varrer o feixe de íons sobre a lâmina e não manter a uniformidade do processo.

D) Servem para varrer o feixe de elétrons sobre a lâmina e manter a uniformidade do processo.

E) Servem para varrer o feixe de elétrons sobre a lâmina e manter a desuniformidade do processo.

#Questão 413885 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Para evitar ou reduzir o efeito de canalização de íons numa lâmina de Si com orientação cristalina (100) durante a implantação de íons, a lâmina deve ser posicionada no implantador com inclinação e rotação?

A) Não, somente com inclinação.

B) Sim, com rotação e inclinação da lâmina.

C) Não, pois a lâmina de Si tem estrutura amorfa.

D) Não, pois com a lâmina de Si com orientação cristalina (100) não ocorre o efeito de canalização.

E) Sim, mas não precisa da inclinação.

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