Questões sobre Princípios de Ciências dos Materiais

#Questão 413600 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual a técnica utilizada para medir a espessura e o índice de refração de filmes de óxido de Si, de nitreto de Si e de silício policristalino, usados na tecnologia CMOS?

A) Microscopia eletrônica de transmissão (TEM).

B) Microscopia eletrônica de varredura (SEM).

C) Microscopia de força atômica (AFM).

D) Elipsometria.

E) Perfilometria.

#Questão 413620 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 413622 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Abaixo estão citadas diferentes técnicas de análise de materiais. Assinale a técnica que não pode ser utilizada para levantamento do perfil de dopagem em semicondutores.

A) Elipsometria espectral.

B) Espectrometria de massa por íons secundários.

C) Levantamento do perfil capacitância-voltagem.

D) Resistência ao espalhamento.

E) Fotoluminescência.

#Questão 413596 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Que filmes são depositados por LPCVD (deposição química a partir da fase vapor executada em baixa pressão)?

1 -W e SiO₂.

2 - SiO₂ e Si₃N₄.

3 - Si₃N₄ e silício policristalino.

4 - Si₃N₄, SiO₂ e silício policristalino.

A) Apenas 2 e 3.

B) Apenas 3 e 4.

C) Apenas 1, 2 e 3.

D) Apenas 2, 3 e 4.

E) 1, 2, 3, e 4.

#Questão 413604 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Leia as afirmativas abaixo acerca do processo de difusão.

I – Quanto menor o coeficiente de difusão, maior a temperatura.

II – De maneira geral, o coeficiente de difusão de átomos intersticiais é maior que o de átomos substitucionais.

III – A taxa de difusão em regime estacionário é proporcional ao gradiente de concentração.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira(s).

A) Apenas I é verdadeira.

B) Apenas II é verdadeira.

C) Apenas III é verdadeira.

D) Apenas I e III são verdadeiras.

E) Apenas II e III são verdadeiras.

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