Questões sobre Princípios de Ciências dos Materiais

#Questão 413586 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais as motivações para o emprego da implantação de íons em substituição à difusão em forno térmico?

1- Controle preciso da profundidade de junção através da energia de aceleração do feixe de íons.

2- Controle preciso da concentração de dopantes na junção através da dose de implantação de íons.

3- Permite o uso de máscara de fotoresiste, pois, normalmente, é um processo executado em temperatura ambiente.

Está (ão) correta(s) apenas a(s) afirmativa(s):

A) 1.

B) 1, 2 e 3.

C) 2.

D) 1 e 2.

E) 2 e 3.

#Questão 413587 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Por que devemos realizar etapa de recozimento térmico após uma etapa de implantação de íons na obtenção de uma junção?

1 – Para corrigir os defeitos causados pela implantação de íons.

2 - Para a ativação elétrica dos dopantes implantados.

3 - Para oxidar a lâmina.

4 - Para definir a profundidade e o perfil de dopagem.

Está (ão) correta (s) apenas a (s) afirmativa (s):

A) 1 e 2.

B) 2 e 3.

C) 2, 3 e 4.

D) 1, 2 e 3.

E) 1, 3 e 4.

#Questão 413589 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica?

A) Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

B) Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato.

C) Somente mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si.

D) Somente mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

E) Mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

#Questão 413592 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais os principais dopantes usados para a obtenção de regiões dos tipos p e n em substratos de Si?

A) Do tipo p, boro, e do tipo n, arsênio e fósforo.

B) Do tipo p, gálio, e do tipo n, antimônio e índio.

C) Do tipo p, gálio e índio, e do tipo n, antimônio.

D) Do tipo p, fósforo, e do tipo n, boro e arsênio.

E) Do tipo p, arsênio e fósforo, e do tipo n, boro.

#Questão 413594 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Para o processo de corrosão química de um filme de SiO2 sobre o substrato de Si, qual solução deve ser usada?

A) Solução de ácido nítrico (HNO₃).

B) Solução básica de amoníaco (NH₄OH).

C) Solução de ácido fosfórico (H₃PO₄).

D) Solução de ácido fluorídrico (HF).

E) As soluções de ácido nítrico (HNO₃) e ácido fosfórico (H₃PO₄) podem ser usadas para a corrosão do SiO₂.

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