Questões de Engenharia Elétrica do ano 2016

#Questão 634872 - Engenharia Elétrica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2016, Polícia Científica de Pernambuco - PE, Perito Criminal

#Questão 634873 - Engenharia Elétrica, Geral, CESPE / CEBRASPE, 2016, Polícia Científica de Pernambuco - PE, Perito Criminal

#Questão 634874 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Digital, CESPE / CEBRASPE, 2016, Polícia Científica de Pernambuco - PE, Perito Criminal

Assinale a opção correta no que se refere a famílias de circuitos lógicos.

A) Os circuitos da família ECL são mais lentos que os da família TTL.

B) Os circuitos lógicos da família TTL utilizam transistores Schottky e bipolar, tendo cada um desses tipos aplicações específicas.

C) Nos circuitos da família TTL, a capacidade de saída (fan-out) das séries de alta potência é maior que a das séries padrão e de baixa potência.

D) É impossível utilizar, conjuntamente, circuitos das famílias ECL e TTL, uma vez que eles operam com diferentes níveis lógicos.

E) As portas lógicas da família ECL são implementadas com transistores MOS.

#Questão 634876 - Engenharia Elétrica, Subestações e Equipamentos Elétricos, CESPE / CEBRASPE, 2016, Polícia Científica de Pernambuco - PE, Perito Criminal

Considerando que o transistor do circuito apresentado possua tensão base-emissor igual a 0,7 V, ganho em polarização direta igual a 49

A) A corrente na base é menor que 10

B) Para que o transistor opere na região ativa e direta, a tensão entre o coletor e o emissor deve ser menor que a verificada entre a base e o emissor.

C) O ganho em polarização direta do transistor representa o ganho de corrente na configuração base-comum.

D) O circuito possui um transistor bipolar PNP em polarização inversa.

E) A corrente no emissor é igual a 1 mA.

#Questão 634877 - Engenharia Elétrica, Subestações e Equipamentos Elétricos, CESPE / CEBRASPE, 2016, Polícia Científica de Pernambuco - PE, Perito Criminal

Assinale a opção correta acerca de diodos de silício.

A) A ruptura por efeito Zener ocorre apenas em diodos fracamente dopados.

B) No diodo Schottky, as camadas semicondutoras do tipo p e n são fortemente dopadas.

C)

Na figura a seguir, que mostra uma curva característica de um diodo, as regiões identificadas por A, B e C correspondem, respectivamente, à polarização inversa, disrupção e polarização direta.

D) A tensão de polarização direta do diodo aumenta com o aumento da temperatura ambiente.

E) A ruptura por avalanche baseia-se em um processo de ionização por impacto.

Questões de Engenharia Elétrica do ano 2016

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