Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

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Um mecanismo de falha de inversores CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) caracteriza-se pela formação de um retificador controlado de silício (SCR) biestável a partir do acoplamento cruzado de transistores “npn” e “pnp” parasitas, desenvolvendo caminhos de baixa resistência entre o dreno e o corpo dos inversores que normalmente são aterrados. É, então, estabelecida uma malha de realimentação que faz circular uma corrente elevada entre o dreno e o corpo, resultando no desligamento da fonte de alimentação ou no derretimento dos terminais de alimentação. Tal mecanismo de falha denominase:

Em um projeto de uma memória ROM (Read Only Memory) MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) de 16 palavras x 4 bits, deseja-se armazenar a soma de 4 bits de duas variáveis de 2 bits. Para tal, serão necessários:

Na operação do software Virtuoso Layout Editor, o procedimento para fazer com que o software calcule as capacitâncias parasíticas em todas as camadas de layout é:

O software Virtuoso Hierarchy Editor permite ao usuário visualizar vários níveis de um único projeto usando uma tabela ou uma vista em árvore. Assinale uma alternativa que NÃO é passível de ser executada pelo Virtuoso Hierarchy:

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