Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

#Questão 413945 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Sobre os resistores em silício policristalino, fabricados nos processos CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar), é correto afirmar que:

A) São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “n+” depositadas entre o substrato “p” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.

B) São fabricados aproveitando a cavidade “n” como resistor e possuem casamento de valores de cerca de 5%.

C) São fisicamente separados do substrato e possuem capacitâncias parasitárias reduzidas.

D) São auto-isolados pelas junções “pn” reversamente polarizadas e possuem capacitâncias parasitárias elevadas.

E) São fabricados a partir do ajuste da largura e do comprimento das regiões de difusão “p+” depositadas entre a cavidade “n” e a camada espessa de óxido, e a variação dos valores de resistência obtidos está entre cerca de 20% a cerca de 50%.

#Questão 413947 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Cada fio de um par de interconexões de 1 mm tem distribuição linear de capacitância de 2,5 fF/μm em relação ao plano de terra representado pelo substrato e 2,5 fF/μm em relação ao fio adjacente. Cada interconexão é ligada a um inversor CMOS com resistência de 20 kΩ. Pode-se afirmar que os retardos de contaminação e de propagação ao longo do caminho das interconexões serão, respectivamente, iguais a: (despreze a capacitância parasita do inversor CMOS e a resistência dos fios)

A) 25 ns e 75 ns.

B) 2,5 ns e 7,5 ns.

C) 5 ns e 90 ns.

D) 50 ns e 150 ns.

E) 45 ns e 45 ns.

#Questão 413948 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Sobre a fabricação de um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”), pode-se afirmar que a seguinte etapa desse processo é dita auto-alinhada:

A) “Sputtering”.

B) Oxidação.

C) Difusão.

D) Deposição de vapor químico.

E) “Etching”.

#Questão 413950 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 413952 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

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