Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

Em um dispositivo semicondutor, o movimento dos portadores de carga por deriva deve-se

Para uma junção “pn”, sabe-se que a capacitância de junção sem aplicação de tensão Cj0 é igual a 1,6 pF, que a tensão interna da junção V0 é igual a 0,5 V e que o coeficiente de graduação da junção é igual a 0,5. Ao ser aplicada uma tensão de polarização reversa de 1,5 V, a capacitância da junção será igual a:

Os terminais de um transistor bipolar de junção são denominados:

Um transistor “npn” tem uma área de emissor de 10 μm x 10 μm. As concentrações de dopantes são as seguintes: no emissor é igual a 10¹⁹ cm-3, na base é igual a 10¹⁸ cm^-3 e no coletor é igual a 10¹⁵ cm^-3. O transistor está operando a 27 °C e nessa temperatura a concentração de elétrons livres intrínsecos n_i = 10¹⁰ cm^-3. Para os elétrons em difusão na base, o comprimento da região de difusão é igual a 10 μm e a constante de difusão é igual a 20 cm²/s. Para lacunas em difusão no emissor, o comprimento da região de difusão é igual a 0,6 μm e a constante de difusão é igual a 1,8 cm²/s. Supondo que largura da base é igual a 2 μm, pode-se afirmar que os valores da corrente de saturação e do ganho de corrente de emissor comum são iguais a, respectivamente: (nos cálculos, assuma que o valor da carga elétrica elementar é igual a 1,6 x 10^-19 C)