Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

#Questão 413886 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?

A) Em torno de 1 MeV.

B) Em torno de 100 keV.

C) Em torno de 10 MeV.

D) Em torno de 50 keV.

E) Em torno de 1 keV.

#Questão 413888 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

No processo de implantações de íons, qual deve ser a dose da implantação de íons para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm e concentração de dopantes em torno de 10²⁰ cm^-3) em lâmina de Si?

A) Em torno de 10¹⁰ cm^-2

B) Em torno de 10¹¹ cm^-2

C) Em torno de 10¹² cm^-2

D) Em torno de ou maior que 10¹⁴ cm^-2

E) Entre 10¹² cm^-2 e 10¹³ cm^-2

#Questão 413890 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 413892 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Dentro do alvo (lâmina), os íons implantados sofrem colisões múltiplas com os elétrons e com os núcleos dos átomos da estrutura do substrato (lâmina). Essas colisões reduzem gradualmente a energia dos íons até freá-los totalmente. As reduções da energia dos íons incidentes devido às colisões com os elétrons e com os núcleos são denominadas, respectivamente:

A) Frenagem eletrônica e Frenagem nuclear.

B) Frenagem nuclear e Frenagem eletrônica.

C) Frenagem atômica e Frenagem eletrônica.

D) Frenagem nuclear e Frenagem atômica.

E) Frenagem eletrônica e Frenagem atômica.

#Questão 413894 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual o mecanismo de frenagem do íon implantado dentro do alvo (lâmina) que é predominante para altas energias do feixe iônico incidente?

A) Frenagem eletrônica

B) Frenagem atômica

C) Frenagem nuclear

D) Frenagem magnética

E) Frenagem elétrica

Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

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