Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

#Questão 413861 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de

A) junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.

B) junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.

C) junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.

D) junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.

E) junções rasas e profundas de fonte e de dreno e para ajustar o comprimento de transistores MOSFETs.

#Questão 413863 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Entre as principais vantagens do processo de implantação de íons, citam-se:

1) Pode ser executado em temperatura ambiente.

2) Apresenta controle preciso da profundidade de penetração do íon na amostra implantada.

3) Apresenta excelente controle da concentração de íons inseridos na amostra implantada.

Quais dessas vantagens estão corretamente identificadas?

A) Apenas a primeira.

B) Apenas a segunda.

C) Apenas a terceira.

D) Todas as três.

E) Apenas duas delas.

#Questão 413865 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Entre as principais desvantagens do processo de implantação de íons, citam-se:

1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes

2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs

3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado

Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas:

A) Apenas a primeira.

B) Apenas a segunda.

C) Apenas a terceira.

D) Apenas duas delas.

E) Todas as três.

#Questão 413866 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os íons de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual íon penetrará mais em sua respectiva lâmina de Si, ou seja, apresentará a maior profundidade no Si? Nota: todas as implantações foram executadas com as mesmas condições de energia, dose e ângulos de inclinação e rotação.

A) ⁷⁵As⁺,

B) ³¹P⁺

C) ¹¹B⁺

D) Os três íons penetrarão com a mesma profundidade no Si.

E) Os íons de ³¹P⁺ e ¹¹B⁺ penetrarão com a mesma profundidade no Si.

#Questão 413868 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os íons de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual íon penetrará menos em sua respectiva lâmina de Si, ou seja, apresentará a menor profundidade no Si? Nota: todas as implantações foram executadas com as mesmas condições de energia, dose e ângulos de inclinação e rotação.

A) ⁷⁵As⁺

B) ³¹P⁺

C) ¹¹B⁺

D) Os três íons penetrarão com a mesma profundidade no Si

E) Os íons de ⁷⁵As⁺ e ¹¹B⁺ penetrarão com a mesma profundidade no Si

Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

Pesquise questões de concurso nos filtros abaixo