Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

#Questão 413773 - Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Em um substrato de silício fortemente dopado com Boro, é crescida uma camada epitaxial fracamente dopada com Boro, dentro da qual pode ser criada uma região denominada poço n. Qual é a principal finalidade do poço n em uma tecnologia CMOS em que se pretende alta densidade de transistores?

A) Possibilitar a criação de dispositivos PMOS.

B) Possibilitar a criação de dispositivos NMOS.

C) Reduzir a possibilidade de interferência de sinal entre transistores vizinhos.

D) Servir como dreno ou fonte para os transistores NMOS.

E) Introduzir dispositivos do tipo diodo retificador no chip.

#Questão 413774 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Circuitos integrados são fabricados em salas limpas, também denominadas salas brancas. Qual das afirmativas abaixo é incorreta?

A) Há mais de um sistema amplamente utilizado para a classificação do nível de pureza do ar de salas limpas.

B) O ambiente da sala limpa onde se realiza a etapa de fotolitografia deve ser iluminado com luz amarelada apropriada.

C) Segundo um mesmo critério de avaliação, uma sala limpa classe 100 exibe maior nível de pureza que outra classe 1000.

D) A pressão dentro de um ambiente de sala limpa em microeletrônica deve ser positiva.

E) Para se utilizar uma sala limpa deve-se utilizar vestimenta especial com tecido isolante elétrico.

#Questão 413776 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Com relação às portas utilizadas nos transistores de efeito de campo (MOSFETs) em tecnologias CMOS padrão de vanguarda, pode-se dizer que

A) o alumínio é o metal mais comumente utilizado.

B) o silício monocristalino tipo p é o material mais comumente utilizado.

C) o silício policristalino fracamente dopado é o material mais comumente utilizado.

D) as ligas de silício com metal refratário são os materiais mais comumente utilizados.

E) o silício monocristalino tipo n é o material mais comumente utilizado.

#Questão 413778 - Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Os níveis de tensão permitidos são menores em chips fabricados em processos CMOS padrão com rótulo menor, escalonados com campo constante. Dos fatores abaixo relacionados, qual influencia mais significativamente essa tendência?

A) Maior concentração de dopantes nas regiões de dreno e fonte dos transistores MOSFET.

B) Inclusão de transistores bipolares no chip.

C) Utilização de filmes com baixa permissividade elétrica relativa entre camadas de metal.

D) Aumento no número de camadas de metal para trilhas.

E) Necessidade de níveis de tensão cada vez menores na saída do chip.

#Questão 413779 - Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Um circuito integrado CMOS arbitrário possui substrato do tipo p coberto com uma camada epitaxial do tipo p, e a possibilidade de poços n contidos dentro da camada epitaxial. Qual das afirmativas abaixo é falsa?

A) A camada epitaxial deve estar sempre conectada ao menor potencial praticado no chip.

B) Um poço n com transistor FET dentro de si deve estar sempre conectado ao maior potencial praticado no chip.

C) Deve-se projetar um único transistor PMOS por poço n.

D) O dreno e a fonte de dois transistores PMOS, respectivamente, conectados em série, podem ser projetados sobrepostos.

E) Pode-se projetar um resistor utilizando-se o poço n.

Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

Pesquise questões de concurso nos filtros abaixo