Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

#Questão 413765 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Digital, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual é a técnica de inspeção não destrutiva capaz de detectar defeitos em montagens Flip-Chip?

A) Microscopia eletrônica de varredura.

B) Microscopia eletrônica de transmissão.

C) Microscopia de força atômica.

D) Tomografia de Raios-X.

E) Fluorescência de Raios-X.

#Questão 413767 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A maior parte dos circuitos integrados atualmente comercializados é processada a partir de que tipo de substrato indicado abaixo. Assinale-o.

A) Silício policristalino com grãos menores que 1 micrometro em sua maior dimensão.

B) Silício policristalino com grãos menores que 0,5 micrometro em sua maior dimensão.

C) Silício monocristalino obtido pelo processo de refusão zonal.

D) Silício monocristalino obtido pelo processo de Czochralski.

E) Silício amorfo apassivado com Hidrogênio.

#Questão 413768 - Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Circuitos integrados fabricados em tecnologia CMOS padrão são geralmente processados em lâminas com superfície (100), pois

A) essas lâminas são mais robustas que lâminas com superfície (010).

B) essas lâminas são mais robustas que lâminas com superfície (001).

C) essas lâminas propiciam menor ruído em MOSFETs que lâminas com superfície (111).

D) o índice (100) indica o maior grau de pureza alcançável em lâminas de silício.

E) a superfície (100) exibe uma densidade menor de impurezas que lâminas (110).

#Questão 413770 - Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quando se indica que um circuito integrado foi fabricado em tecnologia CMOS com rótulo de 0,35 micrometro, sabe-se que

A) o óxido de porta tem espessura de 0,35 micrometro.

B) a distância mínima entre dois transistores deve ser de 0,35 micrometro.

C) a menor dimensão de um transistor que se consegue realizar no chip é de 0,35 micrometro.

D) o comprimento de onda da fonte UV utilizada para a etapa de fotolitografia é de 0,35 micrometro.

E) a densidade de transistores nesta tecnologia pode ser maior que em uma tecnologia CMOS com rótulo 0,5 micrometro.

#Questão 413771 - Engenharia Elétrica, Microeletrônica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

O processo de fotolitografia é essencial para a fabricação de circuitos integrados. No escopo da fotolitografia qual das afirmativas abaixo é a correta?

A) Utiliza-se um material polimérico denominado eletroresiste para a transferência de um padrão geométrico para o chip.

B) Consegue-se uma definição lateral menor de um padrão geométrico com um comprimento de onda maior do feixe de luz.

C) Consegue-se obter dimensões laterais menores do padrão geométrico através de imersão em solução líquida.

D) Fotolitografia de contato é o método que permite a maior repetibilidade na produção de chips.

E) A melhor resolução fotolitográfica é obtida quando se utiliza uma lente de projeção com superfície esférica.

Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

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