Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

#Questão 413706 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 413708 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Um inversor MOS foi construído com MOSFETs casados com tensão de limiar, V_t = 0,5V. Sabendo-se que a tensão de alimentação utilizada é V_DD = 5V, assinale a alternativa que apresenta o menor valor de tensão de entrada que será considerado como um nível lógico 1.

A) 3,2V.

B) 2V.

C) 2,8V.

D) 3V.

E) 2,5V.

#Questão 413709 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Um transistor MOS apresenta um tipo de corrente conhecida como corrente sublimiar. Quanto a esta corrente, analise as sentenças a seguir para um NMOSFET:

I) A corrente sublimiar é a corrente entre dreno e fonte (I_DS) quando o valor da tensão entre porta e fonte (V_GS) é menor que a tensão de limiar (V_t).

II) A corrente sublimiar é sempre nula.

III) Para valores de VGS menores que V_t, porém próximos a este último, pode-se afirmar que a corrente sublimiar é relacionada a V_GS de forma exponencial.

Estão corretas as sentenças:

A) I

B) I e II

C) II

D) I e III

E) I, II e III

#Questão 413711 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Para a caracterização de transistores MOS, uma ferramenta importante são as curvas I_DS x V_DS. Com relação a estas curvas, analise as seguintes sentenças:

I) Para levantamento destas curvas, o valor da tensão entre porta e fonte (V_GS) deve sempre ser nulo.

II) A caracterização através destas curvas é feita através da variação da corrente entre dreno e fonte (I_DS) e medição da tensão entre dreno e fonte (V_DS) para um valor fixo de V_GS.

III) Estas curvas são obtidas para diversos valores de V_GS e traçadas em um único gráfico, permitindo a análise do comportamento do transistor para diferentes tensões de porta.

Estão corretas as sentenças:

A) I

B) I e II

C) II

D) II e III

E) III

#Questão 413713 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Ao realizar alguns testes em um transistor MOS desconhecido, um engenheiro conectou o terminal fonte ao terra e o terminal dreno a uma tensão positiva de forma que V_DS>0. O terminal de porta também foi aterrado, fazendo V_GS = 0. Variando V_DS, conseguiu medir diferentes valores de corrente entre dreno e fonte (I_DS), encontrando uma curva esperada para transistores MOS. Com estas informações, é possível afirmar que este transistor:

A) Não está funcionando corretamente.

B) É um MOSFET canal N tipo enriquecimento.

C) É um MOSFET canal P tipo enriquecimento.

D) É um MOSFET canal N tipo depleção.

E) É um MOSFET canal P tipo depleção.

Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

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