Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

#Questão 413698 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Um transistor MOSFET possui algumas regiões de operação que variam conforme a polarização dos terminais deste dispositivo. A única alternativa que NÃO corresponde a uma região de operação de um MOSFET é

A) corte.

B) saturação.

C) linear.

D) triodo.

E) inversão.

#Questão 413699 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Uma das características de um transistor MOSFET é a existência de uma tensão de limiar (threshold). Analise as assertivas a seguir, sobre esta tensão:

I) Para tensões entre porta (gate) e fonte (source), VGS, abaixo de uma tensão de limiar (Vt), não haverá ou será muito pequeno o fluxo de corrente entre fonte e dreno.

II) Quando VGS < Vt, a densidade de cargas acumuladas no canal é nula ou muito pequena já que a intensidade de campo elétrico não será suficiente para a formação do canal condutor.

Com relação a essas assertivas, pode-se afirmar que:

A) As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.

B) As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.

C) A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.

D) A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.

E) Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.

#Questão 413701 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Um engenheiro realizou alguns testes com um transistor MOSFET de canal N para tentar caracterizá-lo. Ele estudou a variação das tensões entre porta e fonte (V_GS), e entre dreno e fonte (V_DS). Sendo assim, analise as seguintes asserções feitas:

I) Para uma tensão V_GS fixa, acima da tensão de limiar (V_t), variando-se a tensão V_DS existe um valor desta última que faz com que o transistor entre na região de saturação.

II) Se V_DS = V_GS - V_t, a diferença de potencial entre porta e dreno fica igual à tensão de limiar (Vt), e o canal atinge sua largura máxima, ponto a partir do qual mudanças em V_DS têm pouco efeito sobre o valor de corrente entre fonte e dreno, e o transistor se diz saturado.

Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:

A) As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.

B) As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.

C) A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.

D) A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.

E) Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.

#Questão 413703 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Um engenheiro, ao realizar testes com um transistor MOSFET de canal N tipo enriquecimento, conectou o terminal fonte ao terra e aplicou uma tensão de 1,5V ao terminal de porta. É sabido que este transistor possui uma tensão de limiar (Vt) de 0,7V. Em seguida, aplicou tensões ao terminal de dreno com valores de: 0,5V; 0,9V e 2 V. Pode-se afirmar que, para cada valor de tensão aplicada ao dreno, o transistor estava operando, respectivamente, nas regiões de:

A) corte, saturação, linear

B) corte, corte, linear

C) saturação, saturação, saturação

D) linear, saturação, saturação

E) linear, linear, saturação

#Questão 413705 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Durante um estudo de caracterização de um MOSFET, foram utilizados 2 (dois) equipamentos para controlar a tensão entre porta e fonte (V_GS) e entre dreno e fonte (V_DS). Tais equipamentos permitem medir a corrente fornecida, e, desta forma, foi medida a corrente entre dreno e fonte (I_DS). Com este esquema de testes, V_DS foi mantido fixo a 0,1V e variou-se V_GS medindo-se I_DS. Os pontos resultantes foram marcados em um gráfico (abscissa V_GS e ordenada I_DS) e foi traçada a reta tangente à curva com maior inclinação com relação ao eixo horizontal. O ponto de interseção da extrapolação desta reta com o eixo horizontal determina para este transistor a:

A) Tensão de limiar.

B) Região de operação.

C) Tensão de Early.

D) Mobilidade.

E) Corrente de sub-limiar.

Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

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