Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

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Listagem de Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

A política de contingência, dentro do contexto de desenvolvimento de circuitos integrados, visa principalmente:

Com relação à estrutura dos dados gerados, transmitidos e armazenados durante a execução do fluxo de projeto de circuitos integrados, principalmente utilizando-se as ferramentas comerciais, podemos classificá-los em:

Os dispositivos semicondutores são formados por diversos tipos de junção. Um destes tipos de junção é a chamada junção PN. O componente formado, basicamente, por uma junção PN é o

Um dos dispositivos semicondutores mais básicos são os diodos. Com relação ao comportamento de um diodo, analise as seguintes assertivas:

I) Em um diodo em equilíbrio, aparece uma região chamada região de depleção, que é formada pelo mecanismo de difusão de portadores majoritários entre semicondutores tipo P e tipo N, na área de interface entre estes. Tal região é limitada em torno da interface entre os materiais.

II) A região de depleção tem seu tamanho limitado, pois os portadores, ao se deslocarem através da interface, fazem com que os materiais semicondutores deixem de ser neutros. Isso causa o aparecimento de um campo elétrico e a formação de uma corrente chamada corrente de deriva, que contrabalanceia a corrente de difusão.

Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:

Analisando as características de um diodo, foram escritas as seguintes observações.

I) Polarizar diretamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo.

II) Com aplicação de polarização direta em um diodo, tem-se uma redução das dimensões da região de depleção, bem como uma redução do campo elétrico e do potencial elétrico na interface entre os semicondutores tipo P e tipo N.

III) Polarizar reversamente um diodo significa aplicar um potencial em seu anodo maior que o potencial do catodo.

Estão corretas as observações:

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