Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

#Questão 413636 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Abaixo são relacionadas 3 (três) técnicas de dopagem.

I – Dopagem por difusão.

II – Dopagem in situ.

III – Implantação iônica.

Assinale a alternativa com a(s) técnica(s) utilizada(s) para a dopagem de polissilício.

A) Apenas I é utilizada.

B) Apenas II é utilizada.

C) Apenas III é utilizada.

D) Apenas I e II são utilizadas.

E) I, II e III são utilizadas.

#Questão 413638 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Dentre as aplicações abaixo, assinale a que NÃO corresponde a uma aplicação de spin-on.

A) Deposição de fotorresite.

B) Deposição de poliimida.

C) Metalização.

D) Deposição de epóxi.

E) Deposição de camada de vidro com propriedades semelhantes ao dióxido de silício.

#Questão 413640 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

O óxido depositado por spin-on, também conhecido como SOG, é amplamente utilizado porque

I – apresenta propriedades dielétricas superiores ao dióxido de silício.

II – pode ser obtido em baixas temperaturas.

III – possui ótima aderência ao substrato de silício.

Com relação às propriedades mencionadas acima, assinale a alternativa com a(s) propriedade(s) verdadeira(s) do SOG.

A) Apenas I é verdadeira.

B) Apenas II é verdadeira.

C) Apenas III é verdadeira.

D) Apenas II e III são verdadeiras.

E) I, II e III são verdadeiras.

#Questão 413641 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Com relação às aplicações do dióxido de silício, assinale a alternativa INCORRETA.

A) Dielétrico de porta em estrutura metal-óxido-substrato (MOS).

B) Camada de isolação entre camadas de silício/polissilício e metais.

C) Agente catalizador da difusão para dopagem.

D) Máscara em processos de corrosão.

E) Camada de passivação e proteção.

#Questão 413643 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Leia as afirmativas abaixo acerca da oxidação de silício.

I – Para obtenção de uma mesma espessura de óxido a uma dada temperatura, a oxidação seca é um processo mais rápido que a oxidação úmida.

II – A oxidação úmida é realizada pela técnica spin-on.

III – A oxidação consome silício do substrato, de maneira que a espessura total após a oxidação não é igual à soma da espessura inicial da camada de silício com a espessura da camada de óxido.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s)

A) Apenas I está correta.

B) Apenas II está correta.

C) Apenas III está correta.

D) Apenas I e III estão corretas.

E) Apenas II e III estão corretas.

Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

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