Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

#Questão 413628 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Leia atentamente as afirmativas abaixo acerca do nitreto de silício.

I – O oxigênio e o vapor d’água se difundem muito lentamente pelo nitreto de silício.

II – A oxidação do nitreto de silício é mais rápida que a oxidação do dióxido de silício.

III – A oxidação do silício deve ser realizada antes da deposição da camada de nitreto de silício, a fim de impedir a oxidação do nitreto de silício.

A alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira é (são)

A) apenas I.

B) apenas II.

C) apenas III.

D) apenas I e II.

E) apenas I, II e III.

#Questão 413630 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

As propriedades de um filme depositado por spin-on NÃO dependem do seguinte parâmetro:

A) aceleração do spinner.

B) velocidade final de rotação.

C) velocidade do plasma.

D) velocidade do spinner no momento do gotejamento da solução.

E) viscosidade da solução.

#Questão 413631 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Considere as afirmativas abaixo.

I – Para uma mesma concentração de dopante, o polissilício apresenta resistividade maior que o silício epitaxial.

II – Em um polissilício dopado, os dopantes tendem a se difundir para o interior do grão, quando o silício dopado é aquecido.

III – Os portadores se difundem rapidamente pelo contorno de grão.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).

A) Apenas I está correta.

B) Apenas II está correta.

C) Apenas III está correta.

D) Apenas II e III estão corretas.

E) Apenas I e III estão corretas.

#Questão 413633 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A principal técnica utilizada na deposição de polissilício é

A) spin-on.

B) deposição física a partir de vapor por Sputtering.

C) deposição química a partir de vapor melhorada por plasma.

D) deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

E) deposição química a partir de vapor à pressão atmosférica.

#Questão 413635 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

As propriedades e a estrutura do polissilício dependem fortemente das condições de deposição. Assinale a alternativa que apresenta uma condição que NÃO influencia nas propriedades e na estrutura do polissilício depositado, considerando a técnica mais utilizada para a deposição de possilício.

A) Tratamento térmico.

B) Concentração de dopante.

C) Tipo de dopante.

D) Ciclo térmico.

E) Rotação do spinner.

Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

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