Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

#Questão 413594 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Para o processo de corrosão química de um filme de SiO2 sobre o substrato de Si, qual solução deve ser usada?

A) Solução de ácido nítrico (HNO₃).

B) Solução básica de amoníaco (NH₄OH).

C) Solução de ácido fosfórico (H₃PO₄).

D) Solução de ácido fluorídrico (HF).

E) As soluções de ácido nítrico (HNO₃) e ácido fosfórico (H₃PO₄) podem ser usadas para a corrosão do SiO₂.

#Questão 413596 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Que filmes são depositados por LPCVD (deposição química a partir da fase vapor executada em baixa pressão)?

1 -W e SiO₂.

2 - SiO₂ e Si₃N₄.

3 - Si₃N₄ e silício policristalino.

4 - Si₃N₄, SiO₂ e silício policristalino.

A) Apenas 2 e 3.

B) Apenas 3 e 4.

C) Apenas 1, 2 e 3.

D) Apenas 2, 3 e 4.

E) 1, 2, 3, e 4.

#Questão 413597 - Engenharia Elétrica, Conceitos Básicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 413599 - Engenharia Elétrica, Conceitos Básicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Para que serve a técnica de metalização?

A) Para a obtenção dos contatos ôhmicos nos dispositivos semicondutores e as linhas de interconexão entre os diversos pontos do circuito integrado.

B) Para a obtenção de filmes finos isolantes entre trilhas metálicas.

C) Para a deposição de polímeros entre trilhas metálicas.

D) Para auxiliar a implantação de íons e dopagem da lâmina.

E) Para a obtenção do óxido de porta.

#Questão 413600 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual a técnica utilizada para medir a espessura e o índice de refração de filmes de óxido de Si, de nitreto de Si e de silício policristalino, usados na tecnologia CMOS?

A) Microscopia eletrônica de transmissão (TEM).

B) Microscopia eletrônica de varredura (SEM).

C) Microscopia de força atômica (AFM).

D) Elipsometria.

E) Perfilometria.

Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

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