Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

#Questão 413586 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais as motivações para o emprego da implantação de íons em substituição à difusão em forno térmico?

1- Controle preciso da profundidade de junção através da energia de aceleração do feixe de íons.

2- Controle preciso da concentração de dopantes na junção através da dose de implantação de íons.

3- Permite o uso de máscara de fotoresiste, pois, normalmente, é um processo executado em temperatura ambiente.

Está (ão) correta(s) apenas a(s) afirmativa(s):

A) 1.

B) 1, 2 e 3.

C) 2.

D) 1 e 2.

E) 2 e 3.

#Questão 413587 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Por que devemos realizar etapa de recozimento térmico após uma etapa de implantação de íons na obtenção de uma junção?

1 – Para corrigir os defeitos causados pela implantação de íons.

2 - Para a ativação elétrica dos dopantes implantados.

3 - Para oxidar a lâmina.

4 - Para definir a profundidade e o perfil de dopagem.

Está (ão) correta (s) apenas a (s) afirmativa (s):

A) 1 e 2.

B) 2 e 3.

C) 2, 3 e 4.

D) 1, 2 e 3.

E) 1, 3 e 4.

#Questão 413589 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica?

A) Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

B) Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato.

C) Somente mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si.

D) Somente mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

E) Mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

#Questão 413591 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

O que é a técnica de fotolitografia?

A) É a técnica que faz a oxidação da camada do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.

B) É a técnica empregada para imprimir padrões geométricos e abrir janelas em camadas na superfície do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.

C) É a técnica que faz a difusão de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.

D) É a técnica que faz a implantação de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.

E) É a técnica que faz a limpeza do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.

#Questão 413592 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais os principais dopantes usados para a obtenção de regiões dos tipos p e n em substratos de Si?

A) Do tipo p, boro, e do tipo n, arsênio e fósforo.

B) Do tipo p, gálio, e do tipo n, antimônio e índio.

C) Do tipo p, gálio e índio, e do tipo n, antimônio.

D) Do tipo p, fósforo, e do tipo n, boro e arsênio.

E) Do tipo p, arsênio e fósforo, e do tipo n, boro.

Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

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