Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

#Questão 413578 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

A simulação de um processo de oxidação térmica sobre uma lâmina de Si apresentou uma espessura total de 1000 nm do óxido de Si obtido. Qual a espessura da camada superficial de Si que foi consumida durante o processo de oxidação?

A) Cerca de 660 nm

B) Cerca de 330 nm

C) Cerca de 550 nm

D) Cerca de 440 nm

E) Cerca de 220 nm

#Questão 413579 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Por que se utiliza a lâmina de Si com orientação cristalina (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS?

A) Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a maior densidade de defeitos na interface entre SiO₂/Si.

B) Não se utiliza a orientação (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS e sim a orientação (110).

C) Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a menor densidade de defeitos na interface entre SiO₂/Si.

D) Quando crescido o óxido de Si sobre a lâmina, apresenta a menor densidade de defeitos na interface entre Si₃N₄/Si.

E) Não se utiliza a orientação (100) para a fabricação de dispositivos para a tecnologia CMOS e sim a orientação (111).

#Questão 413581 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quais das alternativas a seguir apresenta as etapas sequenciais do método padrão RCA para limpeza de lâminas de Si?

A) 1ª etapa com solução:NH₄OH:H₂O, enxague em H2O; 2ª etapa com solução: HCl:H₂O, enxague em H₂O.

B) 1ª etapa com solução: HCl:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: NH₄OH:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O.

C) 1ª etapa com solução:NH₄OH:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: HCl:H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O.

D) 1ª etapa com solução: HCl:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: NH₄OH:H₂O, enxague em H₂O.

E) 1ª etapa com solução:NH₄OH:H₂O, enxague em H₂O; 2ª etapa com solução: H₂O₂:H₂O, enxague em H₂O.

#Questão 413582 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Assinale a alternativa que contém somente processos que retirem o fotorresiste.

A) Limpeza piranha (solução H₂SO₄/H₂O₂) e processo com plasma de oxigênio.

B) Limpeza RCA e corrosão com HCl.

C) Limpeza piranha (solução H₂SO₄/H₂O₂) e limpeza RCA.

D) Processo com plasma de oxigênio e limpeza RCA.

E) Limpeza piranha (solução H₂SO₄/H₂O₂) e corrosão com solução de HCl.

#Questão 413584 - Engenharia Elétrica, Conceitos Básicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

O processamento térmico rápido (RTP) é usado para:

A) A obtenção de junções rasas.

B) A ativação de dopantes em porta de Si –policristalino.

C) A silicetação.

D) A obtenção de óxido de porta ultra-fino.

E) Todos os processos citados nas alternativas acima podem ser executados com o processamento térmico rápido.

Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

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