Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

#Questão 568334 - Engenharia Elétrica, Máquinas Elétricas, CESGRANRIO, 2012, Petrobras, Técnico de Projetos Júnior

Um motor de indução trifásico de 4 polos funciona sob frequência de 60 Hz. Se o escorregamento a plena carga apresenta valor de 5%, a frequência de tensão induzida no rotor no instante de partida e a frequência de tensão induzida no rotor a plena carga, em Hz, são, respectivamente,

A) 60 e 3

B) 30 e 6

C) 15 e 12

D) 7,5 e 24

E) 3 e 48

#Questão 568361 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

#Questão 568362 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Comparando-se os danos (defeitos) produzidos na camada superficial de material durante corrosão RIE convencional (acoplamento capacitivo) e ICP, observa-se o seguinte:

A) Danos menores durante ICP.

B) Danos menores durante RIE.

C) Depende da temperatura do processo.

D) Depende da temperatura do gás.

E) Depende do tamanho da lamina.

#Questão 568363 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Quando se utiliza a deposição química a partir da fase vapor enriquecida por plasma (PECVD)?

A) Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas baixas, menores que 350ºC.

B) Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas altas, maiores que 900ºC.

C) Quando se necessita da deposição de filmes finos em temperaturas baixas, menores que 350ºC.

D) Quando se necessita da difusão de dopantes em temperaturas altas, maiores que 900ºC.

E) Quando se necessita da difusão e deposição de dopantes e filmes em qualquer temperatura.

#Questão 568364 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual a técnica usada para a obtenção de uma imagem em secção transversal, com alta resolução, de uma camada de SiO₂ sobre substrato Si, identificando as estruturas amorfa e cristalina do SiO₂ e Si, respectivamente.

A) Microscopia eletrônica de transmissão (TEM).

B) Microscopia eletrônica de varredura (SEM).

C) Microscopia de força atômica (AFM).

D) Elipsometria.

E) Perfilometria.

Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

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