Questões de Engenharia Elétrica do ano 2007

#Questão 417351 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FCC, 2007, MPU, Analista

Considere as seguintes proposições referentes a dispositivos elétricos de média tensão.

I. O desligamento dos disjuntores se faz por molas que são destravadas pela ação automática de relés ou senão por via mecânica direta, manual, por ar comprimido ou motor.

II. São elementos de acionamento de seccionadores os punhos, as alavancas e as chaves fim de curso.

III. Os seccionadores de média tensão permitem a verificação visual da interrupção do circuito.

Está correto o que se afirma em

A)

I, somente.

B)

II, somente.

C)

I e II, somente.

D)

I e III, somente.

E)

I, II e III.

#Questão 417384 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FCC, 2007, TRF 2ª, Analista Judiciário

#Questão 417385 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FCC, 2007, TRF 2ª, Analista Judiciário

Em um pára-raios de distribuição de resistor não linear, o resistor

A) é capaz de conduzir altas correntes de descarga com baixas tensões residuais; entretanto, oferece alta impedância à corrente subseqüente.

B) possui alta resistência para tensões elevadas, valor que vai se reduzindo à medida que as tensões são diminuídas, atingindo um mínimo para três vezes a tensão nominal.

C) é capaz de operar como um indutor para impulsos de descarga e assume comportamento capacitivo para sobretensões na freqüência nominal.

D) possui curva característica extremamente inversa, de sorte a inviabilizar a formação de arcos para correntes de até 100 kA, sob onda de 8x20 μs.

E) é capaz de restabelecer o isolamento fase-terra imediatamente após o pico da corrente de descarga, eliminando o período correspondente à corrente subseqüente.

#Questão 417387 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FCC, 2007, TRF 2ª, Analista Judiciário

Considere as proposições relativas ao MOSFET, cujos terminais são: G (gate), D (drain) e S (source).

I. A impedância de entrada é baixa.

II. Aceita tensão VGS positiva e negativa para controle da corrente ID apenas se for MOSFET de depleção.

III. É largamente empregado na fabricação de circuitos integrados por permitir a construção de circuitos mais complexos em áreas menores e por ter um baixo consumo de potência.

Está correto o que se afirma APENAS em

A) I e II.

B) I e III.

C) II.

D) II e III.

E) III.

#Questão 417388 - Engenharia Elétrica, Dispositivos Eletrônicos, FCC, 2007, TRF 2ª, Analista Judiciário

Observe o símbolo de um dispositivo empregado em sistemas de controle de potência e o seu circuito equivalente:

Trata-se de

A) DIAC − Diode Alternative Current.

B) UJT − Unijunction Transistor.

C) Diodo Schockley.

D) SBS − Silicon Bilateral Switch.

E) SUS − Silicon Unilateral Switch.

Questões de Engenharia Elétrica do ano 2007

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