Questões de Engenharia Elétrica do ano 2004

Acerca dos transistores bipolares de junção (BJT) e dos transistores de efeito de campo (FET), julgue os itens seguintes.

O baixo consumo de corrente na porta, principal vantagem dos FET, é uma característica que se nota especialmente quando o sinal conectado à porta é de alta freqüência.

Acerca dos transistores bipolares de junção (BJT) e dos transistores de efeito de campo (FET), julgue os itens seguintes.

Em aplicações digitais, o transistor bipolar costuma ser usado nas regiões de corte e de saturação. A região ativa é evitada visando diminuir a dissipação de potência. A porta lógica ECL é uma exceção, onde se aceita um consumo mais alto de potência em favor de chaveamento mais rápido.

Acerca dos transistores bipolares de junção (BJT) e dos transistores de efeito de campo (FET), julgue os itens seguintes.

O transistor MOS canal N aproxima-se de uma chave ideal nas aplicações digitais, mas degrada ligeiramente o nível lógico 0, ao passá-lo de fonte para dreno.

A respeito das características e princípios de operação de diodos e diodos Zener, julgue os itens subseqüentes.

A operação do diodo Zener baseia-se no fenômeno de ruptura da junção PN, que não ocorre no diodo convencional.

A respeito das características e princípios de operação de diodos e diodos Zener, julgue os itens subseqüentes.

A tensão elétrica entre os terminais de um diodo Zener, em sua região normal de operação, depende muito pouco da corrente que passa por ele, motivo pelo qual ele é freqüentemente empregado em reguladores de tensão.