Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no...

#Questão 413886 - Engenharia Elétrica, Princípios de Ciências dos Materiais, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?

A) Em torno de 1 MeV.

B) Em torno de 100 keV.

C) Em torno de 10 MeV.

D) Em torno de 50 keV.

E) Em torno de 1 keV.

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