Para simular o valor de transcondutância de um determinad...

#Questão 413576 - Engenharia Elétrica, Eletrônica Analógica, FUNRIO, 2012, Centro Nacional de Tecnologia Eletrônica Avançada S.A. - CEITEC, Analista Administrativo

Para simular o valor de transcondutância de um determinado transistor nMOS, polarizado na região tríodo para tensão entre fonte e dreno de 100 mV, que parâmetros são necessários?

A) Mobilidade de portadores no canal, espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta.

B) Somente a Mobilidade de portadores no canal.

C) Somente a espessura do óxido de porta.

D) Espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta.

E) Mobilidade de portadores no canal, largura e comprimento da porta.

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